微區電化學顯微鏡是顯微鏡的一種?；陔娀瘜W原理工作，可測量微區內物質氧化或還原所給出的電化學電流。利用驅動非常小的電極（探針）在靠近樣品處進行掃描，樣品可以是導體、絕緣體或半導體，從而獲得對應的微區電化學和相關信息，可達到的分辨率約為幾十納米。

　　通常微區電化學顯微鏡工作時采用電流法。固定探針與基底間距對基底進行二維掃描時，探針上電流變化將提供基底的形貌和相應的電化學信息。也可工作于“恒電流”狀態，即恒定探針電流，檢測探針z向位置變化以實現成像過程。其分辨率主要取決于探針的尺寸和形狀及探針與基底間距(d)能夠做出小而平的微盤電極是提高分辨率的關鍵所在，且足夠小的d與a能夠較快獲得探針穩態電流，同時要求絕緣層要薄，減小探針周圍的歸一化屏蔽層尺寸RG(RG=r/a，r為探針半徑)值，以獲得更大的探針電流響應，盡可能保持探針端面與基底的平行，以正確反映基底形貌信息。

　　當偏壓的UME探針與絕緣樣品接近時，出現負反饋，氧化還原介質向探針的擴散受阻。這導致探針測得的氧化還原介質濃度較低，因此測得的電流比溶液中的電流低。當SECM探針位于導電樣品上方時，樣品充當雙極電極，即使沒有偏壓，也可以循環探針下方區域的氧化還原介質，如圖3所示，并局部達到能斯特平衡電位。這種介質循環導致探針檢測到的介質濃度局部增加，進而導致測量電流增加。

　　隨著探針到絕緣樣品間隙的減小，介質擴散受阻的程度增加。這導致絕緣體上探針到樣品的距離減小時，電流的絕對值減小。另一方面，隨著探針到導電樣品間隙的減小，來自樣品的正反饋增加，導致導體上探針到樣品的距離減小時，電流的絕對值增加。

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